GA06JT12-247

GA06JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
GA06JT12-247
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2617 pcs
Prix ​​de référence
USD 10.3505/pcs
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GA06JT12-247 Description détaillée

Numéro d'article GA06JT12-247
État de la pièce Active
FET Type -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) (90°C)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 6A
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247AB
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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