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FDB0190N807L - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FDB0190N807L
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FDB0190N807L PDFオンラインブラウジング
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カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 7547 pcs
参考価格: USD 3.5421/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FDB0190N807L 詳細な説明

品番	FDB0190N807L
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	270A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	8V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	249nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	19110pF @ 40V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.7 mOhm @ 34A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK (7-Lead)
パッケージ/ケース	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
重量	-
原産国	-

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