| 品番 | FDB0260N1007L |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 118nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8545pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (7-Lead) |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7 | 詳細 |
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FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 詳細 |
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FDB024N08BL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7 | 詳細 |
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FDB0250N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK | 詳細 |
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FDB0260N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | 詳細 |
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FDB029N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 詳細 |
