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FDB024N08BL7 - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FDB024N08BL7
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FDB024N08BL7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 11637 pcs
参考価格: USD 2.2202/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FDB024N08BL7 詳細な説明

品番	FDB024N08BL7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	178nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	13530pF @ 40V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	246W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2.4 mOhm @ 100A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量	-
原産国	-

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