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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › ZXMN10A08DN8TA
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA - Diodes Incorporated

品番
ZXMN10A08DN8TA
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
ZXMN10A08DN8TA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
47271 pcs
参考価格
USD 0.5488/pcs
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ZXMN10A08DN8TA 詳細な説明

品番 ZXMN10A08DN8TA
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.6A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA (Min)
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 7.7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 405pF @ 50V
電力 - 最大 1.25W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
重量 -
原産国 -

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