ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA - Diodes Incorporated

品番
ZXMN10A08E6TA
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
126024 pcs
参考価格
USD 0.2148/pcs
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ZXMN10A08E6TA 詳細な説明

品番 ZXMN10A08E6TA
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 405pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.1W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-26
パッケージ/ケース SOT-23-6
重量 -
原産国 -

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