ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXMN10A08DN8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
48469 pcs
Referenzpreis
USD 0.5488/pcs
Unser Preis
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ZXMN10A08DN8TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXMN10A08DN8TA
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Leistung max 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Gewicht -
Ursprungsland -

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