ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA - Diodes Incorporated

Número de pieza
ZXMN10A08DN8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
47125 pcs
Precio de referencia
USD 0.5488/pcs
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ZXMN10A08DN8TA Descripción detallada

Número de pieza ZXMN10A08DN8TA
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Potencia - Max 1.25W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP
Peso -
País de origen -

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