ZXMN10A08DN8TA - Diodes Incorporated

Número de pieza: ZXMN10A08DN8TA
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 49216 pcs
Precio de referencia: USD 0.5488/pcs
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Número de pieza	ZXMN10A08DN8TA
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 50V
Potencia - Max	1.25W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Peso	-
País de origen	-

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