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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7 - Diodes Incorporated

品番
DMN61D8LVTQ-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN61D8LVTQ-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
138830 pcs
参考価格
USD 0.1907/pcs
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DMN61D8LVTQ-7 詳細な説明

品番 DMN61D8LVTQ-7
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 630mA
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.74nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 12.9pF @ 12V
電力 - 最大 820mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤデバイスパッケージ TSOT-26
重量 -
原産国 -

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