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DMN61D8LQ-13 - Diodes Incorporated

品番: DMN61D8LQ-13
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V SOT23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN61D8LQ-13 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 50000 pcs
参考価格: USD 0.1553/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN61D8LQ-13 詳細な説明

品番	DMN61D8LQ-13
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	470mA (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	3V, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	0.74nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	12.9pF @ 12V
Vgs（最大）	±12V
FET機能	-
消費電力（最大）	390mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-23
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

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