DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN61D8LQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN61D8LQ-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
50000 pcs
Referenzpreis
USD 0.1553/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern DMN61D8LQ-13

DMN61D8LQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN61D8LQ-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 470mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 390mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMN61D8LQ-13