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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN61D8LVTQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMN61D8LVTQ-7 Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
133953 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1907/pcs
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DMN61D8LVTQ-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN61D8LVTQ-7
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Potenza - Max 820mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore TSOT-26
Peso -
Paese d'origine -

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