| Numero di parte | DMN61D8LVT-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Potenza - Max | 820mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSOT-26 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | Dettagli |
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DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 | Dettagli |
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DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | Dettagli |
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DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | Dettagli |
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DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 | Dettagli |
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DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23 | Dettagli |
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DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Dettagli |
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DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Dettagli |
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DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | Dettagli |
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DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | Dettagli |
