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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › DMN10H099SFG-7
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7 - Diodes Incorporated

品番
DMN10H099SFG-7
メーカー
Diodes Incorporated
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
DMN10H099SFG-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
65000 pcs
参考価格
USD 0.2751/pcs
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DMN10H099SFG-7 詳細な説明

品番 DMN10H099SFG-7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.2A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 25.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1172pF @ 50V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 980mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 80 mOhm @ 3.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
重量 -
原産国 -

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