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DMN10H099SFG-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN10H099SFG-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN10H099SFG-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 65000 pcs
参考価格: USD 0.2751/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN10H099SFG-7 詳細な説明

品番	DMN10H099SFG-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.2A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	25.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1172pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	980mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PowerDI3333-8
パッケージ/ケース	8-PowerWDFN
重量	-
原産国	-

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