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DMN1017UCP3-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN1017UCP3-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN1010-
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN1017UCP3-7 PDFオンラインブラウジング
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カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 115675 pcs
参考価格: USD 0.2228/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN1017UCP3-7 詳細な説明

品番	DMN1017UCP3-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	7.5A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.8V, 3.3V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	16nC @ 3.3V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1503pF @ 6V
Vgs（最大）	±8V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.47W
Rds On（Max）@ Id、Vgs	17 mOhm @ 5A, 3.3V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	X3-DSN1010-3
パッケージ/ケース	3-XDFN
重量	-
原産国	-

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