DMN1017UCP3-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza: DMN1017UCP3-7
Fabricante: Diodes Incorporated
Breve descripción: MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN1010-
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.2228/pcs
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Número de pieza	DMN1017UCP3-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 3.3V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 3.3V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1503pF @ 6V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.47W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 5A, 3.3V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	X3-DSN1010-3
Paquete / caja	3-XDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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