DMN1004UFV-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza	DMN1004UFV-7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	70A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2385pF @ 6V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / caja	8-PowerVDFN
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
DMN100	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles
DMN100-7	DIODES	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	Detalles
DMN100-7-F	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3	Detalles
DMN1002UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6	Detalles
DMN1003UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6	Detalles
DMN1004UFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	Detalles
DMN1004UFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6	Detalles
DMN1004UFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Detalles
DMN1004UFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333	Detalles
DMN1006UCA6-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6	Detalles