品番 | CMF20120D |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 42A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 90.8nC @ 20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1915pF @ 800V |
Vgs(最大) | +25V, -5V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 215W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
動作温度 | -55°C ~ 135°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
重量 | - |
原産国 | - |