CMF20120D Descripción detallada
Número de pieza |
CMF20120D |
Estado de la pieza |
Obsolete |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
SiCFET (Silicon Carbide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
42A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
90.8nC @ 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1915pF @ 800V |
Vgs (Max) |
+25V, -5V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
215W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
110 mOhm @ 20A, 20V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 135°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247-3 |
Paquete / caja |
TO-247-3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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