CMF20120D Descrizione dettagliata
Numero di parte |
CMF20120D |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
42A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
90.8nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1915pF @ 800V |
Vgs (massimo) |
+25V, -5V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
215W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
110 mOhm @ 20A, 20V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 135°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-247-3 |
Pacchetto / caso |
TO-247-3 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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