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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF › NESG2107M33-A
NESG2107M33-A

NESG2107M33-A - CEL

品番
NESG2107M33-A
メーカー
CEL
簡単な説明
TRANS NPN 2GHZ M33
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NESG2107M33-A PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
NESG2107M33-A.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4280 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NESG2107M33-A 詳細な説明

品番 NESG2107M33-A
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 5V
周波数 - 遷移 10GHz
ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
利得 7dB ~ 10dB
電力 - 最大 130mW
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 140 @ 5mA, 1V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 3-SMD, Flat Leads
サプライヤデバイスパッケージ 3-SuperMiniMold (M33)
重量 -
原産国 -

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