NESG2107M33-A detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NESG2107M33-A |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
5V |
Frequenz - Übergang |
10GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
Gewinnen |
7dB ~ 10dB |
Leistung max |
130mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
140 @ 5mA, 1V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
3-SMD, Flat Leads |
Lieferantengerätepaket |
3-SuperMiniMold (M33) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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