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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › NESG2107M33-A
NESG2107M33-A

NESG2107M33-A - CEL

Artikelnummer
NESG2107M33-A
Hersteller
CEL
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 2GHZ M33
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NESG2107M33-A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
NESG2107M33-A.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4181 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern NESG2107M33-A

NESG2107M33-A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NESG2107M33-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 5V
Frequenz - Übergang 10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Gewinnen 7dB ~ 10dB
Leistung max 130mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 5mA, 1V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (M33)
Gewicht -
Ursprungsland -

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