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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › NESG2107M33-A
NESG2107M33-A

NESG2107M33-A - CEL

Numero di parte
NESG2107M33-A
fabbricante
CEL
Breve descrizione
TRANS NPN 2GHZ M33
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NESG2107M33-A Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
NESG2107M33-A.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3533 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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NESG2107M33-A Descrizione dettagliata

Numero di parte NESG2107M33-A
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V
Frequenza - Transizione 10GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Guadagno 7dB ~ 10dB
Potenza - Max 130mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 5mA, 1V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore 3-SuperMiniMold (M33)
Peso -
Paese d'origine -

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