NESG2107M33-A

NESG2107M33-A - CEL

Numéro d'article
NESG2107M33-A
Fabricant
CEL
Brève description
TRANS NPN 2GHZ M33
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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NESG2107M33-A.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3634 pcs
Prix ​​de référence
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NESG2107M33-A Description détaillée

Numéro d'article NESG2107M33-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 5V
Fréquence - Transition 10GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Gain 7dB ~ 10dB
Puissance - Max 130mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 5mA, 1V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur 3-SuperMiniMold (M33)
Poids -
Pays d'origine -

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