SI7172ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI7172ADP-T1-RE3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 125°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI7172ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8	Dettagli
Si7172DP-T1-E3	VISHAY	Si7172DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks	Dettagli
SI7172DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8	Dettagli