SI7172ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI7172ADP-T1-RE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 125°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SO-8
Paket / Fall	PowerPAK® SO-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI7172ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8	Einzelheiten
Si7172DP-T1-E3	VISHAY	Si7172DP-T1-E3 VISHAY QFN8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI7172DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8	Einzelheiten