SI7172ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI7172ADP-T1-RE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.56908/pcs
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Número de pieza	SI7172ADP-T1-RE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1110pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI7172ADP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8	Detalles
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SI7172DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8	Detalles