SI3475DV-T1-E3 Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
SI3475DV-T1-E3 |
| Stato parte |
Obsolete |
| Tipo FET |
P-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
950mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
500pF @ 50V |
| Vgs (massimo) |
±20V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (max) |
2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
6-TSOP |
| Pacchetto / caso |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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