SI3473DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

Numero di parte	SI3473DV-T1-E3
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7.9A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SI3471CDV	VISHAY	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	Dettagli
Si3471CDV-T1-E3	VISHAY	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI3471DV	VISHAY	P-CHANNL 12-V (D-S) MOSFET	Dettagli
SI3473CDV	VIS	SI3473CDV VIS SOT-26 New Original Stocks	Dettagli
SI3473CDV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP	Dettagli
SI3473CDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP	Dettagli
SI3473DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP	Dettagli
SI3473DV	VIS	SI3473DV VIS SOT-23.. New Original Stocks	Dettagli
SI3473DV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP	Dettagli
SI3473DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP	Dettagli