SI3475DV-T1-E3 Description détaillée
| Numéro d'article |
SI3475DV-T1-E3 |
| État de la pièce |
Obsolete |
| FET Type |
P-Channel |
| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
950mA (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
500pF @ 50V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET Caractéristique |
- |
| Dissipation de puissance (Max) |
2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur |
6-TSOP |
| Paquet / cas |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR SI3475DV-T1-E3
