SI3473DDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI3473DDV-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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