SI3473DDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI3473DDV-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 6V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	3.6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-TSOP
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI3473CDV	VIS	SI3473CDV VIS SOT-26 New Original Stocks	Einzelheiten
SI3473CDV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP	Einzelheiten
SI3473CDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP	Einzelheiten
SI3473DDV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP	Einzelheiten
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SI3473DV-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP	Einzelheiten
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