SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3 - Vishay Siliconix

номер части
SI3475DV-T1-E3
производитель
Vishay Siliconix
Краткое описание
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
SI3475DV-T1-E3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4417 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3 Подробное описание

номер части SI3475DV-T1-E3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 950mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 500pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 6-TSOP
Упаковка / чехол SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ SI3475DV-T1-E3