| Numero di parte | BAV200-GS18 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 250mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
| Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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BAV20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 | Dettagli |
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BAV20 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 | Dettagli |
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BAV20,113 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | Dettagli |
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BAV20,133 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | Dettagli |
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BAV20,143 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2 | Dettagli |
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BAV20-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | Dettagli |
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BAV20-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35 | Dettagli |
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BAV200 | VISHAY | Silicon Epitaxial Planar Diodes | Dettagli |
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BAV200-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | Dettagli |
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BAV200-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80 | Dettagli |
