BAV200-GS08 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numero di parte	BAV200-GS08
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Corrente - Rettificato medio (Io)	250mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F	1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOD-80 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore	SOD-80 QuadroMELF
Temperatura operativa - Giunzione	150°C (Max)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BAV20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35	Dettagli
BAV20 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35	Dettagli
BAV20,113	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Dettagli
BAV20,133	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Dettagli
BAV20,143	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Dettagli
BAV20-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Dettagli
BAV20-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Dettagli
BAV200	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Dettagli
BAV200-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Dettagli
BAV200-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Dettagli