BAV200-GS08 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza	BAV200-GS08
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Corriente - promedio rectificado (Io)	250mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1V @ 100mA
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F	1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOD-80 Variant
Paquete de dispositivo del proveedor	SOD-80 QuadroMELF
Temperatura de funcionamiento - unión	150°C (Max)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BAV20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35	Detalles
BAV20 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35	Detalles
BAV20,113	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Detalles
BAV20,133	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Detalles
BAV20,143	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Detalles
BAV20-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Detalles
BAV20-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Detalles
BAV200	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Detalles
BAV200-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Detalles
BAV200-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Detalles