BAV200-GS08 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	BAV200-GS08
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F	1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOD-80 Variant
Lieferantengerätepaket	SOD-80 QuadroMELF
Betriebstemperatur - Kreuzung	150°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BAV20	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35	Einzelheiten
BAV20 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35	Einzelheiten
BAV20,113	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Einzelheiten
BAV20,133	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Einzelheiten
BAV20,143	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2	Einzelheiten
BAV20-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Einzelheiten
BAV20-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35	Einzelheiten
BAV200	VISHAY	Silicon Epitaxial Planar Diodes	Einzelheiten
BAV200-GS08	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Einzelheiten
BAV200-GS18	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80	Einzelheiten