TPW1R005PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TPW1R005PL,L1Q
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	45V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 22.5V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DSOP Advance
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TPW1R005PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Dettagli
	TPW1R306PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Dettagli