TPW1R005PL,L1Q

TPW1R005PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPW1R005PL,L1Q
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
21147 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.2441/pcs
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TPW1R005PL,L1Q Description détaillée

Numéro d'article TPW1R005PL,L1Q
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 45V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9600pF @ 22.5V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement 175°C
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-DSOP Advance
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Poids -
Pays d'origine -

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