TPW1R005PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPW1R005PL,L1Q
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	45V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 22.5V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	175°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-DSOP Advance
Paquet / cas	8-PowerWDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TPW1R005PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails
	TPW1R306PL,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Détails