TPW1R005PL,L1Q detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TPW1R005PL,L1Q |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
45V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
300A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
122nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
9600pF @ 22.5V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
960mW (Ta), 170W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
- |
Betriebstemperatur |
175°C |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
8-DSOP Advance |
Paket / Fall |
8-PowerWDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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