TK65S04N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK65S04N1L,LQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2550pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK+
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TK65S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3	Dettagli
	TK65S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK	Dettagli