TK65S04N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK65S04N1L,LQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	65A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2550pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK+
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TK65S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3	Détails
	TK65S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK	Détails