TK65S04N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK65S04N1L,LQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	65A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2550pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	107W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK+
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TK65S04K3L(T6L1,NQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3	Einzelheiten
	TK65S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK	Einzelheiten