SSM6P35FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: SSM6P35FE(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	SSM6P35FE(TE85L,F)
Stato parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V
Potenza - Max	150mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6 (1.6x1.6)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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