SSM6P35FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM6P35FE(TE85L,F)
Teilstatus	Active
FET Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V
Leistung max	150mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket	ES6 (1.6x1.6)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SSM6P35AFE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS	Einzelheiten
SSM6P35AFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS	Einzelheiten
SSM6P35FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6	Einzelheiten
SSM6P35FE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6	Einzelheiten
SSM6P35FU	TOS	SSM6P35FU TOS US6 New Original Stocks	Einzelheiten
SSM6P36FE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6	Einzelheiten