SSM6P35FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM6P35FE(TE85L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	SSM6P35FE(TE85L,F)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 P-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V
Potencia - Max	150mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6 (1.6x1.6)
Peso	-
País de origen	-

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