SSM6J53FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte: SSM6J53FE(TE85L,F)
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte	SSM6J53FE(TE85L,F)
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.6nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	568pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	136 mOhm @ 1A, 2.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6 (1.6x1.6)
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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