SSM6J511NU,LF

SSM6J511NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6J511NU,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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USD 0.1488/pcs
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SSM6J511NU,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6J511NU,LF
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3350pF @ 6V
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1 mOhm @ 4A, 8V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-UDFNB (2x2)
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Peso -
Paese d'origine -

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