SSM6J53FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM6J53FE(TE85L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SSM6J53FE(TE85L,F)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.6nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	568pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	136 mOhm @ 1A, 2.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6 (1.6x1.6)
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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