SSM6J505NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM6J505NU,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 110353 pcs
Precio de referencia: USD 0.2393/pcs
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Número de pieza	SSM6J505NU,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	37.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 10V
Vgs (Max)	±6V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 4A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-UDFNB (2x2)
Paquete / caja	6-WDFN Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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